三星市值突破兆美元 股價衝上歷史新高 人工記憶體需求驅動
Samsung crosses $1 trillion valuation as AI frenzy drives historic rally, lifting shares over 15%
作者: Lee Ying Shan | 時間: Wed, 06 May 2026 09:12:32 GMT | 來源: CNBC
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三星電子股價周三大漲超過 15%，推升該晶片巨頭市值突破兆美元大關，投資者持續投入人工智慧相關股票。
三星成為台積電之後，第二家市值突破兆美元的亞洲公司。FactSet 數據顯示，該公司曾於 2 月 26 日首次跨越該 1 兆美元市值門檻。
FactSet 數據顯示，該公司股票股價突破歷史新高，且正在創下有紀錄以來單日最大漲幅的軌道上。
此波反彈緊隨著三星電子上週創下單季獲利紀錄。營業利潤激增至 57.2 兆韓圜，營收則攀升至創紀錄的 133.9 兆韓國圜。
三星第一季營業利潤甚至高於其 2025 年全年獲利 43.6 兆韓圜。
獲利增幅也緊隨著彭博社報導，表示 Apple 與三星和英特爾就生產晶片展開探索性談話，地點位於美國，這可能有助於超越長期供應商台積電的多元化。
南韓晶片巨頭 SK 海力士股價也大漲逾 10%，助推基準指數韓國綜合股價指數（Kospi）大漲逾 5%，首度突破 7000 點大關。
高頻寬記憶體（HBM）晶片銷售提升了三星獲利，但該公司仍面臨激烈競爭，因為其在 HBM 市場的早期領先地位被對手 SK 海力士取代。
三星致力於縮小與 SK 海力士在快速成長的 AI 記憶體領域的差距。該公司二月份表示已成為全球首家開始 HBM4 晶片大規模生產並向不具名客戶出貨的公司。
HBM4 代表第六代及最新一代的高頻寬記憶體技術。預計這些晶片將在英偉達即將推出的 Vera Rubin 人工智慧架構中發揮關鍵作用，旨在為資料中心的進階人工智慧工作負載提供動力。
分析師表示，三星電子的強勁反彈是由蓬勃的人工記憶體需求、供應鏈狀況緊縮以及高頻寬記憶體晶片競爭力提升所驅動的。
晨星科技股票分析師宇京杰（Yu Jing Jie）表示：「由於 AI 需求強勁，DRAM 和 NAND 記憶體晶片嚴重短缺，這非常吃記憶體，因為 AI 對頻寬和儲存需求很高。」
DRAM 晶片是快閃易失性記憶體晶片，在處理器積極使用時暫時儲存數據，而 NAND 晶片則是較慢的非易失性儲存晶片，即使設備電源關閉也能保留數據。
雖然記憶體製造商正爭著擴大生產，宇也指出新的半導體產能通常需要兩到三年才能投入營運，意味著供應在近期可能仍受限。這推動了未來一到兩年獲利成長和利潤率的預期增強。
即使預計業界未來幾年將逐步提高新工廠產能，Futurum Group 半導體及基礎設施主管 Rolf Bulk 表示，當前的記憶體高價格以及三星和其同儕的強勁獲利，恐怕仍將獲得支持一段時間。
Bulk 補充表示，客戶對三星最新 HBM4 產品的反饋正面，有助於縮小與 SK 海力士的技術差距。
雖然 SK 海力士仍以估計 55% 的佔有率領先 HBM 市場，三星則約為 25%，Bulk 表示投資者對差距的擔憂較少，因為傳統 DRAM 利潤率近期已超越 HBM 利潤率。
CNBC 的 Dylan Butts 也為本報導做出貢獻。