長鑫存儲上海上市引爆關注，能否填平技術差距才是關鍵挑戰
CXMT's blockbuster debut in Shanghai sets stage for next test against global memory giants
作者: Jenny Lee,Arjun Kharpal | 時間: Fri, 31 Jul 2026 06:20:14 GMT | 來源: CNBC
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長鑫存儲（CXMT）的轟動上海首秀將其推上聚光燈下，但分析師表示，在先進記憶體晶片方面縮小技術差距，而非投資者的熱情，將決定其是否能挑戰全球市場領導者。
該中國記憶體製造商的股價在週一上市首日暴漲近 466%，推升了樂觀情緒，認為北京多年來推動建立自給自足半導體產業的計劃開始見效。
目前的更大問題在於長鑫（CXMT）能否縮小與三星電子、SK 海力士和美光之間的技術差距，特別是在高頻寬記憶體（HBM）方面，這三大公司已建立顯著領先優勢，而 HBM 正是推動人工智慧蓬勃發展的關鍵技術。
MST 金融資深分析師戴維·吉布森表示：「上市並未改變三大公司或產業的前景，因為所有人的需求都持續超過供應。」
雖然國內需求應持續支持長鑫（CXMT）的記憶體晶片，但吉布森表示，由於該公司無法獲得最新的極紫外（EUV）光刻機，面臨挑戰，這些機器對於製造先進晶片至關重要，且在美國主導的出口限制下，中國實際上無法獲得。
沒有這些機器，長鑫（CXMT）需要比競爭對手多約 30% 的晶圓（用於製造晶片的半導體材料薄片）才能生產相同數量的記憶體，這種情況很難克服。
匯總研究主管韓 MS 表示：「長鑫（CXMT）目標在 2026 年底開始生產 HBM，新的上海工廠旨在生產包括 HBM 在內的人工智慧晶片。」
他補充說，該公司的初期產品可能是 HBM3E 或 HBM3，取決於其能達到的性能，使其落後於已向 HBM4 和 HBM4E 邁進的競爭對手一至兩代。
全球 DRAM 市場主導者三星電子在週四第二季財報電話會議上表示，已擴大 HBM4 銷售，並向主要客戶發出了業界首批 HBM4E 樣品。
吉布森指出：「是的，長鑫（CXMT）會製造 HBM，因為它是堆疊 DRAM，但良率將很低，因此產量也會很低」，他強調該公司落後於追求高容量和高速的競爭對手。
良率是半導體產業術語，廣義上指製造過程中生產的可用的晶片數量。晶片製造商旨在追求最大良率。
吉布森還表示，長鑫（CXMT）可能會繼續獲得全球 DRAM 市場份額，預計大部分增長將來自中國客戶，包括騰訊、字節跳動、阿里巴巴和國內手機製造商。
根據 Counterpoint 研究，三星電子以 38% 的市場份額領先全球 DRAM 市場，其次是 SK 海力士 29% 和美光 22%，而長鑫（CXMT）市佔率為 8%。
趨勢力 Ellie Wang 表示，長鑫（CXMT）目前為許多中國智慧型手機品牌供應記憶體晶片，並逐步擴大在中國個人電腦和服務器市場的存在，但該公司的產品組合仍主要集中在主流和中型市場，在高容量服務器產品和人工智慧服務器的先進記憶體方面能力有限。
韓表示，該公司的未來既有利好也有利空案例：「利好案例是追上技術，利空案例是未能克服設備法規和技術障礙（如 HBM）。」
王表示：「根據其目前的研發和生產進度，在人工紀元記憶體需求開始正常化之前，對長鑫（CXMT）來說要大幅縮小差距將具有挑戰性。」，他補充說，該公司繼續開發新的製程技術和產品，以努力縮小差距。
長鑫（CXMT）股價周五盤中上漲超過 5%。