台積電與三星確認採用 ASML 高 NA 微影設備，AI 晶片需求驅動先進製程升級

台積電與三星確認採用 ASML 高 NA 微影設備，AI 晶片需求驅動先進製程升級 台積電與三星電子承諾採用 ASML 最新的高 NA 極紫外光微影機台，以滿足 AI 晶片對先進製程的需求。三星計劃 2028 年起用於 DRAM 生產，台積電則針對複雜電晶體架構應用。此舉使 ASML 高 NA 設備客戶涵蓋全球前三大晶圓廠，強化其市場領導地位。分析師認為這為 ASML 提供明確需求能見度，可能推動其進一步擴大 EUV 產能。此外，三方將合作升級 12 英寸光罩技術以降低製造成本。此發展反映 AI 驅動下，半導體產業正加速投入高成本先進設備，以維持技術領先與效率平衡。 全球兩大晶圓代工廠台積電與三星電子，近日正式承諾採用荷蘭光刻設備巨頭 ASML 最新一代的高 NA（High NA）極紫外光（EUV）微影機台。此舉標誌著半導體製造進入新階段，主要動能來自人工智慧應用對更複雜電晶體架構的迫切需求。對台灣讀者而言，這不僅確認了台積電在先進製程技術上的領先地位，也顯示全球半導體供應鏈正加速向更高階、更昂貴的設備投資轉移，以應對 AI 晶片帶來的巨大市場壓力。 ASML 的 EUV 微影機台是晶片製造中用於在矽晶圓上印製電路圖案的核心設備，而高 NA 機台能印製更精細、更複雜的圖案。單一機台價格高達約 4 億美元。根據最新公告，三星電子計劃從 2028 年起使用該設備生產 DRAM 記憶體，並預計在 2030 年全面導入，以擴展 DRAM 縮放路線並提升製程效率。台積電則表示，將使用這些工具製造先進晶片，並預期高 NA 機台的使用量將因 AI 應用所需電晶體架構日益複雜而顯著增加。 此前，ASML 已於 7 月宣布英特爾（Intel）開始使用高 NA EUV 技術進行先進晶片製造。此次台積電與三星的加入，使得 ASML 高 NA 機台的客戶群擴大至全球前三大晶片製造商。分析師指出，這些公告為 ASML 提供了更明確的採用預期，解決了市場長期以來對該技術普及程度的疑慮。巴克萊銀行認為，這對於 ASML 是正面消息，並暗示 ASML 可能面臨是否要進一步擴大 EUV 產能的重要決策，因為目前需求顯然強勁。ASML 此前已表示，預計在 2027 年將整體 EUV 產能增加約 30%。 除微影設備外，台積電與三星也將與 ASML 合作推動下一代 12 英寸光罩（Photomask）技術，取代目前的 6 英寸格式。光罩是晶片生產中用於印製晶圓圖案的模板，升級為更大尺寸有助於提高生產力並降低晶片製造成本。投資市場對此反應正面，ASML 股價在去年已上漲 120%，投資者視高 NA EUV 機台的成功推廣為其未來成長的關鍵。儘管周二阿姆斯特丹上市的 ASML 股價在盤初交易持平至微跌，但分析師普遍認為，隨著台積電與三星的正式承諾，ASML 在先進微影領域的市場地位將更加穩固，並為其長期產能規劃提供強大支撐。